Halbleiter Heterostrukturen
Halbleiter-Quantenfilmstrukturen und Halbleiter-Quantenpunktstrukturen sind Basismaterialien für eine Vielzahl von Bauelementen in der Kommunikationstechnologie (lichtemittierende Dioden LEDs, Halbleiterlaser, Photodetektoren). Auch zukünftige spintronische Bauelemente und Bauelemente für die Quanteninformationsverarbeitung können durch nanoskalige Halbleiter-Heterostrukturen realisiert werden. Bei optischen Bauelementen bestimmt die Wellenlänge des Lichtes das Materialssystem. Besonders interessant für lichtemittierende Bauelemente sind Wellenlängen um 1.3 µm entsprechend einer Bandlückenenergie von 1 eV und 1.55 µm, da optische Glasfaserkabel bei diesen Wellenlängen ein Absorptionsminimum aufweisen.
Wir untersuchen strukturelle Eigenschaften und chemische Zusammensetzung unterschiedlicher Halbleiter-Nanostrukturen auf der Nanoskala, um diese mit elektronischen und optischen Eigenschaften zu korrelieren.
InAs/GaAs Quantenpunktstrukturen (englisch)
CdSe/ZnSe Quantenpunktstrukturen (englisch)
"Spin-aligning" ZnMnSe Schichten und MnSe/ZnSe Heterostrukturen (englisch)
Gruppe-III-Nitrid Heterostrukturen (englisch)
Selected conference poster presentations:
Beitrag zur Quantifizierung der In-Verteilung in InGaAs Quantenpunkten (pdf)
In-Verteilung in InGaAs Quantenpunkten (pdf)
Selected publications:
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Attempts to grow optically coupled Fibonacci-spaced InGaAs/GaAs quantum wells always result in surface gratings
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